Thèse
Optimisation et modélisation de l’épitaxie 2D h-BN et de ses hétérostructures stratifiées de haute qualité à l’aide de l’intelligence artificielle
Publié le
Type de poste
Doctorat
Durée
36 mois
Date de démarrage
16/03/2026
Localisation
IRL Georgia Tech, Metz
Contact
Description du Poste
Sujet De Thèse
Cette thèse de doctorat sera menée dans le cadre du projet PEPR DIADEM /Agence Nationale de la Recherche (ANR) program/France.
Le nitrure de bore hexagonal est un nouveau matériau optoélectronique 2-dimensionnel qui commence à jouer un rôle important dans les prototypes de dispositifs optoélectroniques et électroniques de nouvelle génération. Comme il est produit dans un système MOVPE pendant le même cycle d’épitaxie que les dispositifs actifs à base de GaN, le h-BN est en passe d’être commercialisé à grande échelle. Compte tenu de la complexité de l’environnement d’épitaxie MOVPE, il est nécessaire d’approfondir les connaissances sur la tâche complexe qui consiste à améliorer la qualité épitaxiale des matériaux h-BN. Ce projet vise à améliorer considérablement la qualité des matériaux optoélectroniques à base de nitrure de bore hexagonal grâce à une caractérisation avancée et à une optimisation guidée par l’IA des paramètres de croissance épitaxiale. Le doctorant travaillera sur les différentes briques technologiques de la croissance épitaxiale des hétérostructures à base de BN par MOVPE et effectuera également la caractérisation avancée des matériaux (XRD, AFM, SEM, PL, CL et mesures électriques).
Votre Environnement de Travail
Cette thèse sera réalisée dans le contexte de l’IRL 2958 GT-CNRS, un laboratoire international commun entre le Georgia Institute of Technology et le CNRS. Comme tout projet de recherche, ce projet est une collaboration avec un ensemble de partenaire nationaux venant de domaines différents et demandera donc une certaine quantité de travail collaboratif et de communication.